近期，我国第四代半导体材料制备领域捷报频传，有关技术和工艺接连取得突破。

  西安邮电大学的陈海峰教授团队在8英寸硅片上成功制备出氧化镓外延片；此前，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，已达到国际最高水平。

  盘面上看，半导体相关板块近三个交易日连续上涨，其中，以第四代半导体、Chiplet概念的表现最为活跃。截至3月16日中午收盘，长电科技（600584.SH）涨6.67%，华天科技（002185.SZ）涨3.86%，中国西电（601179.SH）、南大光电（300346.SZ）等个股跟涨。

  近年来，科学技术创新受到国际社会格外的重视，半导体领域的技术突破，更是国际科技战略的必争高地。被当作是第四代半导体最佳材料之一的氧化镓，逐渐进入人们的视野，有望成为半导体赛道的新风口。

  据了解，氧化镓是一种无机化合物，又叫三氧化二镓（Ga2O3），是一种宽禁带半导体。更宽的禁带宽度意味着电子需要从价带跃迁到导带，所以氧化镓具有大功率、耐高温、耐高压等特殊性能，其性能也更优于第三代半导体材料。

  值得一提的是，在同等规格下，宽禁带材料可以制造模具尺寸更小、功率密度更高的器件，节省晶圆面积，可以更节约成本。

  此外，氧化镓的导通性能大约是碳化硅（第三代半导体材料）的10倍，可以大大降低新能源汽车、轨道交通等领域的能源消耗。

  业内人士表示，氧化镓材料最大有可能在未来大放异彩。在未来10年，氧化镓器件也有几率会成为最存在竞争力的电子器件。

  实际上，我国一直在加大对氧化镓的相关研究和开发。2月底，中国科学技术大学龙世兵教授团队联合中科院苏州纳米所加工平台，首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管；同样是2月底，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

  3月中旬，西安邮电大学陈海峰教授团队在8英寸硅片上成功制备出氧化镓外延片，标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

  随着科研力度的持续加大，我国在氧化镓的制备上屡获突破，氧化镓制备技术正逐步走向成熟，我国也走在第四代半导体行业的前列。

  在A股市场中，已经布局第四代半导体相关业务的上市公司并不多，这类公司具备拥有一定的稀缺性。而且，部分公司在该领域也取得了不错的进展。

  中国西电是国内唯一一家具有输配电成套生产制造能力的企业。旗下子公司拥有氧化镓、金刚石半导体、化合物集成电路等极具创新性的科研成果转化。

  新湖中宝专注于高科技、地产和金融服务等领域。公司广泛投资于大数据、人工智能、云计算、半导体、新材料等高科技企业，众多企业拥有国际领先的自主技术，增长迅速潜力巨大。公司参股的杭州富加镓业科技有限公司，致力于宽禁带半导体氧化镓材料的研发，并已建立氧化镓单晶材料设计、热场模拟仿真、晶圆加工等全链路研发能力，目前已推出部分产品。

  除此之外，南大光电围绕前驱体材料、电子特气和光刻胶三大核心业务积极布局。据了解，该公司生产的三甲基镓产品能作为生产氧化镓的原材料；阿石创（300706.SZ）专门干PVD镀膜材料的研发生产和销售，自主研发的200余款高端镀膜材料，大范围的应用于半导体、光伏等领域，据了解，该企业能根据客户需求进行定制化生产氧化镓及氧化镓混合物类的靶材产品。