近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”资料，得到了继续注重。超宽禁带半导体也归于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)比较，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需求更加多的能量从价带跃迁到导带，因而氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。而且，在平等标准下，宽禁带资料能够制作die size更小、功率密度更高的器材，节约配套散热和晶圆面积，逐渐降低成本。

  2022年8月，美国商务部工业安全局（BIS）对第四代半导体资料氧化镓和金刚石施行出口控制，以为氧化镓的耐高压特性在军事范畴的使用对美国国家安全至关重要。尔后，氧化镓在全球科研与工业界引起了更广泛的注重。