中国日报2月28日电（记者 赵磊）记者从中国电子科技集团有限公司得悉，近来，电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，到达世界最高水平。

  氧化镓是新式超宽禁带半导体资料，具有优异的物理化学特性，在微电子与光电子范畴均具有宽广的使用远景。但因具有高熔点、高温分化以及易开裂等特性，因而，大尺度氧化镓单晶制备极为困难。

  中国电科46所氧化镓团队聚集多晶面、大尺度、高掺杂、低缺点等方向，从大尺度氧化镓热场规划动身，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶成长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶成长技能，具有十分杰出的结晶功能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研发，将有力支撑我国氧化镓资料实用化进程和相关工业开展。

  近年来，中国电科环绕国家战略需求，在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体资料范畴砥砺深耕并获得重大突破和标志性效果，有力支撑了我国超宽禁带半导体资料的开展。

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